(eng. Phase Change Memory) Kallas även enbart fasminne - typ av minne som använder skillnaden mellan två av materiens faser för att lagra data. Ettor och nollor representeras av materia i amorf respektive kristallin form. Fasövergångsminnen är en lovande efterträdare till flashminnen som ett icke-flyktigt minne utan rörliga delar. Man kan nå högre lagringstäthet (fler ettor och nollor per kvadratmillimeter) med fasövergångsminnen än med flashminnen. Minnena är också snabbare och strömsnålare.